同一技术底座衍生两条机型产品线：静态成像光刻机以确定性反射图案一次直投成全场像，面向大面积规则图形的高效率曝光；软件定义成像光刻机以相位可编程阵列由软件即时定义并切换图形，面向变节距、非周期、需快速改版的图形。两条机型共用主镜、膜系与工件台平台，按客户工艺需求分别选型。
图形确定、节距规则、批量大——选静态成像机型；图形任意、变节距、需快速改版——选软件定义成像机型。 两条机型共用同一技术底座与供应链体系。
主镜表面像素阵列以确定性反射图案固化，收敛光斑阵列一次直投形成全场像。图形确定、 节距规则、面积大——以最高效率换取产能。
曲面活塞式相位调制 MEMS 阵列以连续相位编码，逐像素定义入射／反射光的相位分布， 图形由软件即时生成与切换——以最高自由度换取迭代速度。
按产业领域分为四大板块，场景归类为技术适配方向说明。
面向先进制程与先进封装的关键层图形化，是新一代 EUV 光刻机的主战场。无掩模架构省去物理掩模的设计、制造、更换全链路成本与换型停机时间。
面向先进节点关键层的纳米级图形定义。静态成像承担大面积规则图形的高一致性一次曝光，软件定义成像承担局部图形修正与亚像素微调，两者协同降低图形保真度损失。
面向三维存储的高密度孔阵、电容阵列，以及新型非易失存储器的纳米电极阵列。大面积周期图形由静态成像高效完成，阵列边缘与非规则区由软件定义成像补写。
面向重布线层、微凸点与铜柱、硅通孔开口、混合键合界面等图形化需求，支持大尺寸基板的扫描拼接曝光与细线宽套刻对准。
无掩模成像架构本身可直接用于掩模版图形写入与缺陷局部修复补写，形成「以直写装备支撑掩模产业」的配套价值，同时使掩模自身的掩模依赖归零。
面向纳米压印工作模板与母版的纳米图形直写，覆盖周期光栅、纳米柱阵列、微透镜阵列等模板结构，免去模板制作中的掩模环节。
微纳光子器件的图形特征尺寸与节距变化大、批次小、迭代快，正是软件定义成像「图形由软件即时定义」这一能力的价值放大区。
面向光波导、光栅耦合器、微环谐振器、光子晶体、调制器与探测器阵列的图形化，支持同一晶圆上多器件、多节距的混合排布与快速改版。
面向超透镜、衍射光学元件、偏振光学元件等亚波长结构阵列。单元结构尺寸、朝向、占空比逐点不同，需相位编码能力逐像素定义，是软件定义成像的典型适配场景。
面向光波导耦入耦出光栅、体全息元件、微显示光引擎的纳米光栅图形，可在单次工艺内完成多区域不同节距光栅的定义。
面向微米级像素定义、发光单元隔离结构、量子点图案化与彩色转换层图形，支持小尺寸高密度像素阵列的直接图形化。
面向科研与前沿器件的小批量、多品种、结构多变特征，软件定义成像机型可覆盖从周期阵列到任意自由图形的加工。
面向惯性、压力、声学、射频等器件与执行器的微纳结构图形化；曲面基板的共形图形化由软件定义成像机型依托飞行曝光同步法向姿态随动完成。
面向超导量子比特、约瑟夫森结、纳米线与纳米桥等结构，图形任意性强、器件数量少、迭代频繁，适配软件定义成像的快速改版能力。
面向芯片实验室的微通道网络、反应腔阵列、生物传感器电极阵列等图形化，支持任意拓扑流道图形的一体化直写。
面向二维材料器件、纳米线器件、新型存储与自旋器件的纳米电极与异质结图形，适配多品种并行的科研试制节奏。
面向传统掩模光刻不适配的工况：极稀疏图形、小批量多品种、异形与曲面基板、科研装置专用元件。
面向铜柱、散热焊盘、天线图形等离散型图形。稀疏矩阵选择性曝光只对有效区域出光，显著减少无效曝光与能量浪费，提升大尺寸载板的加工效率。
面向 MPW 流片、ASIC 打样、科研试制等场景：图形由软件直接定义、零掩模成本、改版当天即可投片，从架构上消除掩模制作周期对迭代速度的制约。
依托软件定义成像机型的飞行曝光与顶层工件法向姿态随动能力，在曲面、台阶、异形基板上完成共形图形化，适配自由曲面光学、共形电子、曲面传感等新型加工需求。
面向 EUV / X 射线光路元件、纳米光栅、波带片、多层膜测试件的纳米图形定制，满足科研装置单件定制、参数快速迭代的需求。
| 场景类别 | 机型 A · 静态成像 | 机型 B · 软件定义成像 | 适配说明 |
|---|---|---|---|
| 先进制程关键层 | ● | ● | 机型 A 担产能，机型 B 承担局部图形修正 |
| 存储阵列 | ● | ○ | 周期阵列为主，边缘与非规则区由机型 B 补写 |
| 先进封装与载板 | ● | ○ | 大尺寸基板拼接曝光，稀疏图形走选择性曝光 |
| 光子与超表面器件 | ○ | ● | 逐像素相位编码，单元结构逐点不同 |
| 量子与科研器件 | ○ | ● | 图形任意、数量少、迭代频繁，重改版能力优先 |
| 曲面与异形工件 | ○ | ● | 仅机型 B 具备：飞行曝光同步逐点法向姿态随动与图形修正；机型 A 面向平面工件 |