以「原理样机 → 工程样机 → 验证机」三阶段推进，每阶段设定明确的验收判据，不盲目追求短期商业盈利，以技术突破、知识产权沉淀、供应链培育、下游工艺适配为第一目标。
完成凹镜块式全息直写 EUV 成像系统前期预研，完成多轮方案迭代与机理论证。
完成 MEMS 相位阵列芯片数字域 RTL 正确性审查与仿真验证，3 个自检 Testbench 累计 1641 项断言全部通过。
完成变周期多层膜全角度反射率仿真验证，建立「入射角—膜层周期」设计曲线。
完成 14 项发明专利与 3 项实用新型专利布局并获国家知识产权局受理，覆盖极紫外光源、芯片、光学元件制造、成像、末级微缩成像光学、整机自动校准、超精密隔振与光学元件检测、多工件台抗振解耦、整机、晶圆制造系统、热管理、晶圆静电卡盘与无缆磁悬浮工件台十二个方向。